Dwutranzystorowe moduły SiC MOSFET 3,3, kV o prądach znamionowych 200 A i 400 A

Mitsubishi Electric rozpoczyna sprzedaż dwóch nowych modułów SiC MOSFET SBD-embedded, zaprojektowanych do zastosowań w falownikach dużej mocy, m.in. w pojazdach szynowych i energetyce. FMF400DC-66BEW (3,3 kV/400 A) i FMF200DC-66BE (3,3 kV/200 A) stanowią uzupełnienie wcześniejszego, 800-amperowego modelu FMF800DC-66BEW, wprowadzonego na rynek w marcu b.r. Pozwalają zredukować straty przy przełączaniu o 54% w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami full-SiC z oferty Mitsubishi oraz o 91% w porównaniu z odpowiednikami krzemowymi. Są zamykane w obudowach o wymiarach 140 x 100 x 40 mm. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza z zakresu od -40 do +175°C. Zapewniają izolację do 6 kV rms.