Mostkowe sterowniki transformatorowe do tranzystorów IGBT, SiC i GaN

Mostkowe sterowniki transformatorowe EiceDRIVER Power serii 2EP1xxR zostały zaprojektowane do współpracy z układami zasilania z tranzystorami IGBT, SiC i GaN, wymagającymi zapewnienia izolacji sekcji wejściowej od wysokonapięciowej. Umożliwiają generowanie asymetrycznych napięć sterowania przy użyciu minimum komponentów. Zawierają zabezpieczenie termiczne, zwarciowe i podnapięciowe. Są polecane do zastosowań w aplikacjach konsumenckich i przemysłowych, w tym w stacjach ładowania, instalacjach fotowoltaicznych, systemach przechowywania energii, spawarkach, układach napędowych i zasilaczach UPS.

Rodzina 2EP1xxR obejmuje 4 typy sterowników. 2EP100R i 2EP101R zostały zoptymalizowane do współpracy z tranzystorami IGBT i SiC MOSFET w prostych projektach o małej liczbie komponentów. 2EP110R umożliwia precyzyjne regulowanie współczynnika wypełnienia przebiegu (duty-cycle), tak aby stosunek napięć wyjściowych był dopasowany do wymagań aplikacji z tranzystorami mocy SiC i GaN. Z kolei 2EP130R zapewnia dużą elastyczność projektową. Oferuje 5-stopniową ochronę nadprądową, 41 konfigurowalnych częstotliwości przełączania do optymalnego dopasowania transformatora oraz 41 wartości współczynnika wypełnienia przebiegu do regulacji napięcia wyjściowego.

Sterowniki 2EP1xxR akceptują napięcie wejściowe z szerokiego zakresu do 20 V. Są zamykane w małogabarytowych obudowach TSSOP8. Producent oferuje do nich płytki ewaluacyjne (ozn. EVAL-2EP130R-VD, EVAL-2EP130R-PR i EVAL-2EP130R-PR-SIC).