Dla tranzystorów mocy OptiMOS 8 szczególnie charakterystyczna jest niska rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on). Producentem elementów półprzewodnikowych jest firma Infineon Technologies, której seria uwzględnia tranzystory MOSFET o napięciu "dren-źródło" VDS równym 100 V.
Podzespoły sprawdzają się bezpośrednio np. w sterownikach napędów oraz w systemach zarządzania bateriami (BMS). Niewielka wartość transkonduktancji gfs zapewniona jest wraz z dryftem napięcia progowego bramki ΔVGS(th), który nie przekracza 0,8 V. Oprócz tego przyjęto rozwiązania gwarantujące efektywne odprowadzanie ciepła. Komponenty serii oferuje się w obudowach takich jak: TOLL lub SuperSO8 5×6. Kilka takich elementów umieszczono na płycie referencyjnej o oznaczeniu REF_ESC_48V_80A_FOC umożliwiającej budowę złożonych aplikacji sterowania dronami czy elektronicznych regulatorów prędkości (ESC).
Więcej na: www.infineon.com
