Wysokotemperaturowe tranzystory MOSFET do elektroniki samochodowej

Renesas wprowadza do oferty 7 nowych tranzystorów MOSFET zaprojektowanych do zastosowań w elektronice samochodowej.

Są to tranzystory zdatne do pracy w wysokich temperaturach, zamykane w obudowach HSON-8 o rezystancji termicznej kanał-obudowa wynoszącej 1,09 ºC/W i dopuszczalnej mocy wyjściowej 138W uzyskiwanej w temperaturze +25ºC. Występują w wersjach n-kanałowych o napięciu przebicia 40 i 60V oraz p-kanałowych o napięciu przebicia –30V. Ich trzy najważniejsze zalety to:

• obudowa HSON o powierzchni dwukrotnie mniejszej od standardu TO-252,
• możliwość przewodzenia prądów o natężeniu do 75A,
• możliwość pracy z maksymalną temperaturą złącza +175ºC (zgodność ze standardem AEC-Q101).

Przykładowy model NP75N04YUG charakteryzuje się dopuszczalnym prądem przewodzenia 75A przy rezystancji kanału wynoszącej 4,8mΩ, co jest rekordowym osiągnięciem w stosunku do innych wysokotemperaturowych MOSFETów produkowanych w podobnych obudowach.