Nowa generacja MOSFETów o małym współczynniku FOM do przetwornic DC-DC
Renesas Technology wprowadza na rynek trzy tranzystory MOSFET najnowszej, 12. generacji zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przetwornicach DC-DC zasilających stacje bazowe, serwery i notebooki.
RJK0210DPA, RJK0211DPA i RJK0212DPA charakteryzują się mniejszym o średnio 40% współczynnikiem FOM (QG x RDS(on)) od poprzednich generacji MOSFETów. Wynosi on odpowiednio 6,84 mΩ∙nC, 7,83 mΩ∙nC i and 7,2 mΩ∙nC, a dopuszczalny prąd drenu to odpowiednio 30, 25 i 20A.
Napięcie znamionowe dla wszystkich wersji wynosi 25V. W przypadku realizacji przetwornicy DC-DC wykorzystującej RJK0210DPA w charakterze tranzystora sterującego i RJK0208DPA w charakterze synchronicznego prostownika, możliwe jest uzyskanie sprawności na poziomie 90,6% przy prądzie wyjściowym 18A i 86,6% przy prądzie wyjściowym 40A.
Powyższe wartości obowiązują dla napięcia wejściowego 12V, wyjściowego 1,05V, częstotliwości pracy 300 kHz i 2-fazowej konfiguracji. RJK0210DPA, RJK0211DPA i RJK0212DPA są zamykane w obudowach WPAK o powierzchni 5,1 x 6,1mm i grubości 0,8mm. Rozpoczęcie produkcji masowej nastąpi w grudniu 2010.
