Małosygnałowe MOSFETy o rekordowo niskiej rezystancji RDS(on)

NXP wprowadza do oferty małosygnałowe p- i n-kanałowe tranzystory MOSFET o rekordowo niskiej rezystancji R_DS(on) przeznaczone do zastosowań w notebookach, tabletach, e-bookach i telewizorach LCD.

Pozwalają one uzyskać większą do 20% sprawność energetyczną w stosunku do poprzednich serii tranzystorów wykonywanych w technologii TrenchFET.

Są zamykane w dwóch typach obudów: SOT23 i SOT457 o powierzchni 3 x 3mm. Przykładowy n-kanałowy model PMV16UN (V_DC=20V, I_D=5,8A) wykazuje rezystancję RDS(on) równą maksymalnie 18mΩ przy V_GS=4,5V. Do końca 2011 roku firma planuje zwiększyć ofertę małosygnałowych tranzystorów MOSFET o 70 nowych modeli.

	Kanał	VDS	VGS	ID	RDS(ON)
PMV32UP	p	-20V	-8…+8V	-4A	maks. 36mΩ
PMN34UP	p	-20V	-8…+8V	-4A	maks. 40mΩ
PMV16UN	n	20V	-8…+8V	5,8A	maks. 18mΩ
PMV22EN	n	30V	20…+20V	5,2A	maks. 22mΩ
PMV20XN	n	30V	12…+12V	4,8A	maks. 25mΩ
PMN20EN	n	30V	-20…+20V	6,7A	maks. 20mΩ

 

Więcej na: www.nxp.com