Małosygnałowe MOSFETy o rekordowo niskiej rezystancji RDS(on)
NXP wprowadza do oferty małosygnałowe p- i n-kanałowe tranzystory MOSFET o rekordowo niskiej rezystancji RDS(on) przeznaczone do zastosowań w notebookach, tabletach, e-bookach i telewizorach LCD.
Pozwalają one uzyskać większą do 20% sprawność energetyczną w stosunku do poprzednich serii tranzystorów wykonywanych w technologii TrenchFET.
Są zamykane w dwóch typach obudów: SOT23 i SOT457 o powierzchni 3 x 3mm. Przykładowy n-kanałowy model PMV16UN (VDC=20V, ID=5,8A) wykazuje rezystancję RDS(on) równą maksymalnie 18mΩ przy VGS=4,5V. Do końca 2011 roku firma planuje zwiększyć ofertę małosygnałowych tranzystorów MOSFET o 70 nowych modeli.
| Kanał | VDS | VGS | ID | RDS(ON) | |
| PMV32UP | p | -20V | -8…+8V | -4A | maks. 36mΩ |
| PMN34UP | p | -20V | -8…+8V | -4A | maks. 40mΩ |
| PMV16UN | n | 20V | -8…+8V | 5,8A | maks. 18mΩ |
| PMV22EN |
n | 30V | 20…+20V | 5,2A | maks. 22mΩ |
| PMV20XN | n | 30V | 12…+12V | 4,8A | maks. 25mΩ |
| PMN20EN | n | 30V | -20…+20V | 6,7A | maks. 20mΩ |
Zapytania ofertowe
Małosygnałowe MOSFETy o rekordowo niskiej rezystancji RDS(on)
Zapytanie ofertowe
