7-amperowe MOSFETy o powierzchni 2 x 2 mm i małej rezystancji RDS(on)
Renesas Electronics rozszerza ofertę miniaturowych tranzystorów MOSFET o dwa nowe modele, 20-woltowy µPA2600 i 30-woltowy µPA2601, oba zamykane w obudowach o powierzchni 2 x 2 mm, mniejszej o 40% od poprzednich wersji. Są to tranzystory n-kanałowe wyróżniające się małą rezystancją RDS(on) uzyskaną przy małych wymiarach obudów.
Wynosi ona typowo 9,3 mΩ @ VGS=4,5 V dla µPA2600 oraz 10,5 mΩ @ VGS=10 V dla µPA2601. Oba tranzystory pracują z dopuszczalnym prądem drenu 7 A. Dopuszczalne napięcie VGS wynosi ±12 V dla µPA2600 i ±20 V dla µPA2601.
Obecnie w ofercie Renesas Electronics znajduje się 8 podobnych tranzystorów projektowanych do zastosowań w układach o największym stopniu upakowania podzespołów: cztery p-kanałowe, trzy n-kanałowe oraz jeden podwójny z wewnętrznymi tranzystorami z kanałem typu p i n. Rozpoczęcie produkcji seryjnej µPA2600 i µPA2601 przewidziano na maj b.r.
