Tranzystory bipolarne i MOSFET w nowych miniaturowych obudowach 1,0 x 0,6 x 0,37 mm

Firma NXP rozszerza ofertę tranzystorów o 60 nowych modeli bipolarnych i 12 małosygnałowych MOSFETów n- i p-kanałowych zamykanych w nowym typie obudowy DFN1006B-3 (SOT883B) o wymiarach wynoszących zaledwie 1,0 x 0,6 x 0,37 mm. Wśród nich dostępne są m.in. popularne tranzystory bipolarne BC847 i BC857 oraz PMBT3904 i PMBT3906.

Oferta obejmuje ponadto 42 typy tranzystorów z wbudowanymi rezystorami. Tranzystory bipolarne i MOSFET produkowane w obudowach DFN1006B-3 charakteryzują się generalnie małymi stratami mocy, zapewniającymi długi czas pracy na baterii urządzeń mobilnych.

Przykładowo, napięcie nasycenia tranzystora bipolarnego PBSS2515MB wynosi 150 mV przy prądzie kolektora równym 1 A. Z kolei tranzystory MOSFET produkowane na napięcia przebicia 20...60 V zapewniają małą rezystancję RDS(on), wynoszącą już od 250 mΩ dla przykładowego modelu PMZB290UN.

Parametry elektryczne i termiczne nowych tranzystorów produkowanych w obudowach DFN1006B-3 są zbliżone do poprzednich wersji zamykanych w obudowach SOT23, SOT323 i SOT416.