Tranzystory MOSFET PowerTrench o dużej gęstości mocy do zasilaczy impulsowych

Fairchild Semiconductor włącza do oferty tranzystorów n-MOS PowerTrench kolejne 4 modele z wewnętrzną szybką diodą regeneracyjną, pracujące z napięciami znamionowymi 40, 60 i 80 V. Są to tranzystory wysokoprądowe, zaprojektowane do zastosowań w zasilaczach impulsowych, charakteryzujące się małym ładunkiem bramki QG, małym ładunkiem regeneracyjnym QRR i małym współczynnikiem FOM (QG x RDS(ON)).

Pierwsze wersje to FDMS015N04B (40 V, 100 A, 1,5 mΩ) i FDMS039N08B (80 V, 100 A, 3,9 mΩ) produkowane w obudowach Power56 oraz FDP020N06B (60 V, 313 A, 2 mΩ) i FDP027N08B (80 V, 223 A, 2,7 mΩ) produkowane w obudowach TO-220-3.

Ważniejsze cechy:

• mniejsze rozmiary obudów (Power56 i TO-220),
• mniejszy ładunek QG zmniejszający straty przy sterowaniu bramki,
• mały stosunek QGD/QGS minimalizujący ryzyko przypadkowego włączenia tranzystora,
• mała pojemność resztkowa zmniejszająca straty przy sterowaniu bramki z dużą częstotliwością.

Przy zamówieniach 1000 sztuk ceny hurtowe wynoszą 1,78 USD za FDMS015N04B, 1,60 USD za FDMS039N08B, 4,50 USD za FDP020N06B i 3,30 USD za FDP027N08B.