Seria transformatorów SMD do sterowników bramek tranzystorów SiC MOSFET

Transformatory SMD nowej serii WE-AGDT zostały zaprojektowane specjalnie do zastosowań w sterownikach bramek tranzystorów SiC MOSFET. Są to podzespoły małogabarytowe, produkowane w obudowach EP7 rozmiaru 11,94 x 11,3 x 10,95 mm. Charakteryzują się szerokim zakresem napięcia wejściowego od 9 do 36 V, dużym prądem nasycenia do 4,5 A oraz bardzo małą indukcyjnością upływu i bardzo małą pojemnością między uzwojeniami (6,8 pF). Pozwala to uzyskać duży współczynnik CMTI (common-mode transient immunity) w układzie sterowania bramki.

Seria WE-AGDT obejmuje obecnie 6 typów transformatorów. Dzięki dwóm oddzielnym uzwojeniom po stronie wtórnej mogą one pracować z unipolarnym (+15…+19 V) lub bipolarnym (+15 V, -4 V) napięciem wyjściowym. Ich maksymalna częstotliwość przełączania wynosi 350 kHz, a zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -40 do +130°C.

Transformatory WE-AGDT zostały zoptymalizowane do sterowania tranzystorów SiC, ale mogą też zapewnić optymalną kontrolę pracy tranzystorów IGBT i MOSFET dużej mocy, a po zastosowaniu odpowiedniego konwertera DC-DC, również wysokonapięciowych tranzystorów GaN FET. Firma Würth Elektronik oferuje do nich zestawy referencyjne.