Wysokonapięciowe, grubowarstwowe rezystory chipowe o małej powierzchni montażowej

Wysokonapięciowe, grubowarstwowe rezystory chipowe serii RCV-AT e3 pozwalają zmniejszyć wymaganą powierzchnię płytki drukowanej i koszty montażu oraz ograniczyć liczbę podzespołów, zastępując kilka rezystorów połączonych szeregowo. Są to rezystory z kwalifikacją AEC-Q200 o napięciu znamionowym do 3 kV.

Nadają się do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do +150°C. Obecnie w sprzedaży dostępne są dwa pierwsze warianty: RCV2010-AT e3 i RCV2512-AT e3, zamykane w obudowach rozmiaru odpowiednio 2010 i 2512. Zostały zaprojektowane do zastosowań głównie w falownikach i układach ładowania samochodów o zasilaniu elektrycznym i hybrydowym. Są produkowane w wersjach o rezystancji od 100 kΩ do 100 MΩ, tolerancji ±1% i ±5% oraz współczynniku temperaturowym TCR ±100 ppm/K i ±200 ppm/K.