Transformatory o małej pojemności międzyzwojowej do sterowania tranzystorów SiC MOSFET i IGBT

Do oferty transformatorów serii WE-AGDT (Auxiliary Gate Drive Transformer) firmy Wurth Elektronik wchodzą nowe wersje o bardzo małej pojemności międzyzwojowej, wynoszącej już od 0,68 pF w przypadku modelu 750319177. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach sterowania bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT o dużym współczynniku dV/dt. Mogą pracować z maksymalnym napięciem wyjściowym 30 V. Są zamykane w obudowach SMT EP7 o wymiarach 11.94 x 11,3 x 10,95 mm.

W ofercie firmy Wurth Elektronik dostępne są też zestawy referencyjne 6-watowych, izolowanych zasilaczy z transformatorami WE-AGDT do sterowania bramek tranzystorów SiC MOSFET i IGBT: RD001 z wyjściem bipolarnym i RD002 z wyjściem unipolarnym.

Transformatory serii WE-AGDT spełniają wymogi norm bezpieczeństwa IEC62368-1/IEC61558-2-16. Mogą znaleźć zastosowanie w napędach przemysłowych, stacjach ładowania pojazdów, falownikach instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach UPS i aktywnych układach korekcji PFC.