Wysokonapięciowa dioda SiC 1200V/5A w obudowie DPak

SDB05S120 to nowa wysokonapięciowa dioda w ofercie firmy SemiSouth zaprojektowana do zastosowań w przetwornicach systemów fotowoltaicznych. Została wykonana na bazie węglika krzemu.

Może też znaleźć zastosowanie w zasilaczach impulsowych, układach korekcji PFC, grzejnikach indukcyjnych i układach napędowych. Cechuje się napięciem znamionowym 1200V i dopuszczalnym ciągłym prądem przewodzenia 5A (do 100A w impulsie przy t_C=+25°C, t_P=10µs).

Podobnie, jak wiele innych diod SiC z oferty SemiSouth, wykazuje dodatni współczynnik temperaturowy pozwalający na łączenie równoległe kilku elementów. Jest zamykana w obudowie DPak (TO-252). Pracuje w dopuszczalnym zakresie temperatur do +175°C.

Najważniejsze cechy SDB05S120:

• dodatni współczynnik temperaturowy ułatwiający równoległe łączenie kilku diod,
• charakterystyki przełączania niezależne od temperatury,
• szeroki zakres dopuszczalnych temperatur pracy złącza od –55°C do +175°C,
• pomijalny prąd regeneracji (typ. 5µA przy +25°C).