Pierwszy ma rynku tranzystor MOSFET SiC o napięciu VDS równym 1000 V

C3M0065100K to pierwszy na rynku tranzystor n-MOS SiC o napięciu VDS równym 1000 V, oferujący bardzo krótkie czasy przełączania zapewniające energooszczędną pracę w układach impulsowych. Jego współczynnik FOM jest nieosiągalny dla innych podobnych tranzystorów MOSFET wykonywanych na podłożach krzemowych.

C3M0065100K został zoptymalizowany do zastosowań w układach ładowania i zasilaczach, gdzie zapewnia trzykrotnie większą gęstość mocy od tranzystorów krzemowych. Może pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu równym 35 A (90 A w impulsie) i zapewnia małą rezystancję kanału R_DS(on) na poziomie 65 mΩ.

Obecnie jest on oferowany w 4-wyprowadzeniowej obudowie TO-247 z podwójną elektrodą źródła, mającą zapewnić minimalne oscylacje i straty mocy. W najbliższym czasie do oferty wejdą również wersje do montażu SMT (ozn. C3M0065100J i C3M0120100J).

Pozostałe parametry C3M0065100K:

• czas narastania/opadania: 10/8 ns,
• czas opóźnienia przy włączaniu/wyłączaniu: 20/19 ns,
• ładunek bramki: 35 nC,
• zakres temperatur pracy złącza: -55..+150°C,
• moc rozpraszana: 113,5 W.