Niskoprofilowe transformatory do sterowania bramek tranzystorów MOSFET

Wurth Electronics wprowadza do oferty dwa niskoprofilowe transformatory MID-GDT przeznaczone do zastosowań w zasilaczach, instalacjach solarnych i układach napędowych. Zostały one skonstruowane pod kątem ograniczenia do minimum dwóch krytycznych parametrów pasożytniczych w układach sterowania bramek tranzystorów: indukcyjności rozproszenia i pojemności między uzwojeniami.

Są produkowane w obudowach SMT o wymiarach 10 x 10 x 5,4 mm z możliwością montażu z wykorzystaniem standardowych automatów pick-and-place. Zapewniają izolację do 1500 VAC. Są przystosowane do pracy w zakresie temperatur otoczenia od -40 do +125°C. Modele 750316093 i 750316094 różnią się przekładnią, wynoszącą odpowiednio 1:1:1 i 1:2,5:2,5.