Małostratne 40-woltowe tranzystory MOSFET do układów zasilania

Do oferty firmy Toshiba wchodzą dwa n-kanałowe tranzystory MOSFET o dużej sprawności i krótkim czasie przełączania, stanowiące rozszerzenie rodziny U-MOS IX-H. TK3R1E04PL i TK3R1A04PL są zamykane w obudowach odpowiednio TO-220 i TO-220SIS. Są to tranzystory o napięciu przebicia 40 V, mogące pracować z napięciem bramki do ±20 V i maksymalnym prądem drenu odpowiednio do 100 i 82 A.

Zapewniają optymalny balans między rezystancją drenu i pojemnością wyjściową (R_DS(ON)=2,5 mΩ @ V_GS=10 V, C_OSS=1 nF), pozwalający uzyskać równocześnie małe straty w stanie ON, krótkie czasy przełączania i małe straty przy przełączaniu. Ich dopuszczalna temperatura pracy kanału wynosi +175°C.