Najmniejsze i najszybsze sterowniki tranzystorów MOSFET wykonane w procesie GaN

Produkt firmy:

Texas Instruments

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

LMG1020 i LMG1210 to najmniejsze obecnie na rynku i najszybsze sterowniki tranzystorów MOSFET, zrealizowane w procesie GaN. Mogą znaleźć zastosowanie w nanosekundowych LIDARach i przetwornicach DC-DC taktowanych zegarem rzędu kilkudziesięciu MHz. Charakteryzują się krótkimi czasami propagacji (2,5 ns dla LMG1020 i 10 ns dla LMG1210), pozwalającymi na pracę z 50-krotnie większą szybkością od sterowników krzemowych.

LMG1020 to sterownik low-side o paśmie 60 MHz, umożliwiający generowanie impulsów laserowych o szerokości od 1 ns w aplikacjach LIDARów o dużym zasięgu. Jest zamykany w obudowie WCSP (wafer-level chip-scale) o powierzchni zaledwie 1,2 x 0,8 mm.

Charakteryzuje się małymi stratami i małymi wartościami parametrów pasożytniczych. Drugi z nowych układów, LMG1210 to sterownik półmostkowy o paśmie 50 MHz, mogący współpracować z tranzystorami MOSFET o napięciu znamionowym do 200 V.

Dzięki małej pojemności wewnętrznej (1 pF) i regulowanemu czasowi martwemu pozwala zwiększyć nawet o 5% sprawność szybkich przetwornic DC-DC, sterowników silników, wzmacniaczy audio klasy D i innych aplikacji dużej mocy oraz ograniczyć liczbę podzespołów i wymaganą powierzchnię płytki drukowanej (nawet do 80%).

Jest zamykany w obudowie WQFN. Jego duży współczynnik CMTI (>300 V/ns) zapewnia dużą odporność na zaburzenia wejściowe. Ceny hurtowe LMG1020 i LMG1210 wynoszą odpowiednio 1,79 USD i 2,19 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.

Producent oferuje do nich zestawy ewaluacyjne (LMG1020EVM-006, LMG1210EVM-012) i modele do symulacji w formacie SPICE.

LMG1020 LMG1210
Konfiguracja low-side half-bridge
Liczba kanałów 1 2
Przełącznik mocy GaNFET GaNFET
Napięcie szyny (V) 200
Szczytowy prąd wyjściowy (A) 7 3
Napięcie wejściowe (V) 4,75...5,25 6...18
Czas narastania/opadania (ns) 0,21/0,21 0,5/0,5
Czas propagacji (ns) 2,5 10
Poziomy progowe napięcia wejściowego TTL TTL
Zakres temperatur pracy (C) -40...125 -40...125
Obudowa DSBGA WQFN

Zapytania ofertowe
Najmniejsze i najszybsze sterowniki tranzystorów MOSFET wykonane w procesie GaN
Zapytanie ofertowe
Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Najmniejsze i najszybsze sterowniki tranzystorów MOSFET wykonane w procesie GaN
Firma: Texas Instruments
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).