1200-woltowe tranzystory MOSFET SiC o rezystancji RDS(on) od 120 mΩ
Na targach APEC 2018 firma Littelfuse zaprezentowała dwa nowe tranzystory MOSFET zrealizowane na podłożach z węglika krzemu, charakteryzujące się rekordowo małą rezystancją kanału. LSIC1MO120E0120 i LSIC1MO120E0160 to tranzystory n-kanałowe o napięciach przebicia 1200 V, których RDS(on) wynosi odpowiednio 120 i 160 mΩ.
Zostały zaprojektowane do zastosowań w szybkich układach przełączających, gdzie mogą zaoferować znacznie mniejsze straty mocy od krzemowych tranzystorów MOSFET i IGBT przy podobnym dopuszczalnym prądzie przewodzenia.
Zapewniają równocześnie duże napięcie przebicia, małą rezystancję kanału, małą pojemność wyjściową i mały ładunek bramki. Ich typowe zastosowania obejmują pojazdy o napędzie elektrycznym, maszyny przemysłowe, systemy energii odnawialnej, aparaturę medyczną, grzejniki indukcyjne i zasilacze impulsowe.
Oba tranzystory są zamykane w identycznych obudowach TO-247-3L.
| LSIC1MO120E0120 | LSIC1MO120E0160 | |
| V(BR)DSS | 1200 V | 1200 V |
| RDS(ON) | 120 mΩ | 160 mΩ |
| ID ciągły (TC<100C) | 18 A (27 A @ 25°C) | 14 A (22 A @ 25°C) |
| ID w impulsie (TC=25°C) | 54 A | 44 A |
| PD (TC=25°C) | 139 W | 125 W |
| Rekomendowany zakres VGS | -5...20 V | -5...20 V |
| Zakres temp. pracy złącza | -55...150°C | -55...150°C |
| COSS | 53 pF | 45 pF |
| QG | 80 nC | 57 nC |
| tR/tF | 7 ns/10 ns | 8 ns/14 ns |
| td(on)/td(off) | 12 ns/16 ns | 12 ns/19 ns |
