Tranzystory MOSFET o ultraniskiej rezystancji kanału z dwustronnym chłodzeniem

Toshiba powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o dwa nowe modele n-kanałowe TPWR7940PB i TPW1R104PB, zamykane w 8-wyprowadzeniowych obudowach DSOP Advance (WF) o powierzchni z obustronnym chłodzeniem. Są to tranzystory o napięciu przebicia 40 V, wyróżniające się ultra-niską rezystancją R_DS(on), wynoszącą odpowiednio 0,79 mΩ i 1,14 mΩ, produkowane w oparciu o najnowszy proces technologiczny Trench U-MOSIX-H.

Uzyskały kwalifikację AEC-Q101 definiującą minimalne wymogi wytrzymałościowe, pozwalające na zastosowania w elektronice samochodowej. Mogą znaleźć zastosowanie np. w układach wspomagania kierownicy, pompach elektrycznych i obwodach przełączających.

TPWR7940PB i TPW1R104PB są zamykane w specjalnie zaprojektowanych obudowach DSOP Advance (WF)M i DSOP Advance (WF)L z odsłoniętą górną pokrywą radiatora o powierzchni odpowiednio 8 mm² i 12 mm², pozwalającą zredukować rezystancję termiczną do 1,5 K/W dla TPW1R104PB oraz 0,93 K/W dla TPWR7940PB.

Pod względem wymiarów i rozkładu wyprowadzeń ten typ obudowy odpowiada stosowanym wcześniej obudowom SOP Advance (WF) bez odsłoniętej górnej powierzchni radiatora. Dodatkową zaletą jest tu możliwość prowadzenia optycznej inspekcji połączeń, istotnej w aplikacjach samochodowych.

Ważniejsze dane techniczne TPW1R104PB:

• V_DSS: 40 V,
• V_GSS: ±20 V,
• I_D: 120 A,
• P_D: 132 W,
• R_DS(ON): 1,14 mΩ (V_GS=10 V),
• Ciss: 4560 pF,
• Q_g: 55 nC (V_GS=10 V).