Sterowniki bramek tranzystorów MOSFET z wejściami różnicowymi

Za każdym razem, gdy tranzystor MOSFET w zasilaczu impulsowym jest włączany lub wyłączany, indukcyjność resztkowa powoduje przesunięcie poziomu masy. Może ono prowadzić do niekontrolowanego przełączania sterownika bramek, co z kolei w ekstremalnych przypadkach może być przyczyną przeciążenia tranzystorów MOSFET i awarii zasilacza.

Aby rozwiązać ten problem, firma Infineon Technologies opracowała jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET zawierające różnicowe wejścia sterowania, pozwalające zapobiegać niepożądanemu wyzwalaniu tranzystorów MOSFET. 1EDN7550 i 1EDN8550 mogą znaleźć zastosowanie w przemyśle, systemach komputerowych i telekomunikacji, a także systemach ładowania bezprzewodowego i elektronarzędziach.

Są odporne na statyczny offset masy do ±70 V. Gwarantują też poprawną pracę przy offsecie dynamicznym do ±150 V. Wszystko to bez przecinania pętli masy. Różnią się poziomem zadziałania zabezpieczenia podnapięciowego (4 lub 8 V). Jeżeli układ strowania bramką tranzystora zawiera wejście różnicowe, jedynie różnica napięć między jego wejściami wpływa na napięcie wyjściowe.

Układy 1EDNx550 EiceDRIVER nadają się idealnie do sterowania tranzystorów MOSFET ze źródłem połączonym w układzie Kelvina. Zapewniają dużą odporność na przesunięcie poziomu masy wynikające z indukcyjności resztkowej źródła tranzystora. W porównaniu ze sterownikami bramek z izolacją galwaniczną są układami tańszymi i wymagają mniejszej powierzchni montażowej.

Dodatkowo, sterowniki 1EDNx550 nadają się do zastosowań tam, gdzie odległość między układem sterowania i sterownikiem bramek tranzystorów jest duża. Taka sytuacja może wystąpić ze względu na specyficzną konstrukcję urządzenia, technologię wykonania płytki drukowanej lub korzystanie z zewnętrznych kart sterujących. Oba układy są zamykane w obudowach SOT-23-6.

Pozostałe dane techniczne:

• napięcie znamionowe: 20 V,
• wydajność prądowa: +4 A/-8 A,
• minimalna szerokość impulsu wejściowego: 29 ns,
• czas propagacji (turn-on/turn-off): 45 ns,
• częstotliwość pracy: do 15 MHz,
• odporność wyjścia na odwrócenie polaryzacji prądu: 5 A,
• zabezpieczenie podnapięciowe: 4 V (1EDN7550B), 8 V (1EDN8550),