Tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 w obudowach TO-247

Po wcześniejszych wersjach produkowanych w obudowach EconoDUAL i Easy, firma Infineon wprowadza obecnie na rynek dyskretne tranzystory IGBT rodziny Trenchstop IGBT7 zamykane w obudowach typu TO-247. Są to tranzystory o napięciu przebicia 650 V, produkowane w wersjach o dopuszczalnym prądzie drenu 20, 30, 40, 50 i 75 A. Mogą stanowić zamienniki wcześniejszych wersji, jak również nadają się do łączenia równoległego tam, gdzie wymagane jest zapewnienie dużej wydajności prądowej. Przykładem mogą być układy napędowe, korekcji PFC i fotowoltaiczne oraz zasilacze UPS.

Tranzystory Trenchstop IGBT7, produkowane w oparciu o nową technologię micro-pattern trench, pozwalają uzyskać znacznie mniejsze straty statyczne od wcześniejszych wersji. Przy tym samym prądzie przewodzenia ich napięcie w stanie On zredukowano o około 10%. Wewnętrzne, szybkie diody regeneracyjne 7. generacji (EC7) wykazują mniejsze o 150 mV napięcie przewodzenia V_F. Dodatkową zaletą jest odporność na krótkotrwałe zwarcia i wilgoć. Tranzystory Trenchstop IGBT7 przeszły testy w tym zakresie testy HV-H3TRB (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias).