Półmostkowy 40-woltowy stopień mocy MOSFET o małej rezystancji RDS(on)

SiZ240DT to półmostkowy stopień mocy z dwoma n-kanałowymi tranzystorami MOSFET zrealizowanymi w procesie Trench, charakteryzujący się małą rezystancją R_DS(on) i małym współczynnikiem FOM. Tranzystor w kanale 1, zaprojektowany do pracy jako tranzystor sterujący w synchronicznych konwerterach DC-DC, charakteryzuje się maksymalną rezystancją kanału 8,05 mΩ @ 10 V i 12,25 mΩ @ 4,5 V. Z kolei tranzystor w kanale 2, zaprojektowany do pracy jako przełącznik synchroniczny, charakteryzuje się rezystancją 8,41 mΩ @ 10 V i 13,30 mΩ @ 4,5 V. Są to wartości mniejsze nawet o 16% od najbliższych odpowiedników, które w zestawieniu z małymi ładunkami bramek obu tranzystorów (6,9 nC w kanale 1 i 6,5 nC w kanale 2) pozwalają zapewnić mały współczynnik FOM, krótkie czasy przełączania i małe straty mocy przy pracy impulsowej.

SiZ240DT, zamykany w obudowie PowerPAIR 3x3S o powierzchni 3,3 x 3,3 mm, jest jednym z najmniejszych tego typu układów dostępnych na rynku, mniejszym pod względem powierzchni nawet o 65% od podobnych układów z oferty innych producentów. Jest polecany do zastosowań w układach napędowych dronów, elektronarzędzi i urządzeń medycznych oraz w konwerterach DC-DC, ładowarkach bezprzewodowych i zasilaczach impulsowych. Wewnętrzne struktury MOSFET, produkowane bez połączeń wire bond, charakteryzują się małą indukcyjnością resztkową, pozwalającą na stosowanie dużych częstotliwości przełączania i ograniczenie wymiarów współpracujących elementów magnetycznych.