Podwójny tranzystor GaN HEMT w konfiguracji półmostkowej z wbudowanymi sterownikami bramek
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
MasterGaN1 to pierwszy na rynku podwójny tranzystor GaN HEMT 650 V do pracy w układzie półmostkowym, wyposażony w 600-woltowe sterowniki bramek high-side i low-side. Został zaprojektowany do zastosowań w ładowarkach, zasilaczach sieciowych i falownikach o mocy do 400 W, pozwalając na znaczną redukcję ich masy i objętości przy równoczesnym zapewnieniu dużej wydajności prądowej i gęstości mocy.
Układ jest zamykany w obudowie GQFN o powierzchni 9 x 9 mm, grubości 1 mm i 2-milimetrowej drodze upływu pomiędzy wyprowadzeniami sekcji nisko- i wysokonapięciowymi. Pracuje z maksymalnym prądem wyjściowym 10 A. Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe sekcji high-side i low-side, zabezpieczenie termiczne, zabezpieczenie przed równoczesnym otwarciem obu tranzystorów oraz wejście shutdown, umożliwiające przełączenie w tryb oszczędnościowy. Charakteryzuje się bardzo małą rezystancją RDS(on) wewnętrznych tranzystorów GaN, wynoszącą 150 mΩ i precyzyjnie dopasowanymi charakterystykami czasowymi obu tranzystorów. Jego wejścia sterujące są kompatybilne z napięciami z zakresu od 3,3 do 15 V.
MasterGaN1 jest przystosowany do pracy w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -40 do +125°C. Jego ceny hurtowe zaczynają się od 7 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. W najbliższym czasie do oferty STMicroelectronics mają też trafić odpowiedniki o identycznym rozkładzie wyprowadzeń, różniące się rezystancją RDS(on) wewnętrznych tranzystorów i wydajnością prądową, produkowane w obudowach o identycznym rozkładzie wyprowadzeń.
