MOSFETy 150/200V o bardzo małym ładunku bramki
Najnowsze tranzystory MOSFET serii IRFxx4615 i IRFxx4620 produkowane przez International Rectifier odznaczają się bardzo małym ładunkiem bramki (QG) umożliwiającym pracę w szybkich układach przełączających, m.in. w zasilaczach i układach napędowych.
Najnowsze tranzystory MOSFET serii IRFxx4615 i IRFxx4620 produkowane przez International Rectifier odznaczają się bardzo małym ładunkiem bramki (QG) umożliwiającym pracę w szybkich układach przełączających, m.in. w zasilaczach i układach napędowych. Są to tranzystory produkowane w procesie technologicznym HEXFET. W porównaniu z innymi podobnymi tranzystorami o napięciu znamionowym 150V i 200V całkowity ładunek bramki obniżono o odpowiednio 60% i 30%. Dostępne są wersje w obudowach typu TO-220, D2Pak, TO-262, DPak i IPak. Przewodzą dopuszczalny prąd drenu do maksymalnie 35A (patrz tabela). Ceny hurtowe zaczynają się od 0,83 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
Oznaczennie |
Obudowa |
Napięcie przebicia |
ID |
RDS(on)
maks. |
QG |
IRFB4615PBF |
TO220 |
150 |
35 |
39 |
26 |
IRFS4620PBF |
D2PAK |
200 |
25 |
72,5 |
25 |
IRFSL4620PBF |
TO262 |
200 |
25 |
72,5 |
25 |
Więcej na www.irf.com |