Diody Schottky’ego SiC o napięciu przebicia do 1700 V i dużej odporności na impulsy udarowe
UnitedSiC, jeden z czołowych producentów wysokoprądowych podzespołów półprzewodnikowych z węglika krzemu (SiC), wprowadza do oferty cztery nowe diody Schottky’ego o dużej odporności na impulsy udarowe. Diody UJ3D, dostępne w wersjach o napięciu przebicia 1200 V i 1700 V, wykazują mniejszy o 12…15% współczynnik FoM (VF x Qc) od podobnych diod z oferty innych producentów, dzięki czemu nadają się do zastosowań wymagających dużej sprawności przy pracy z dużą częstotliwością przełączania.
Zapewniają odstęp izolacyjny wynoszący co najmniej 8,8 mm pomiędzy anodą i katodą, zwiększający bezpieczeństwo pracy w środowiskach o znacznym poziomie zanieczyszczeń, w których mogą pojawiać się przepięcia. Przy pracy wysokoprądowej specjalnie zaprojektowane złącze PN umożliwia wstrzykiwanie dodatkowych nośników ładunku, dzięki czemu uzyskano odporność na znacznie większe prądy udarowe niż w przypadku diod konkurencyjnych (do 12-krotnej wartości prądu znamionowego).
Nowa oferta obejmuje diodę o napięciu przebicia 1700 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia 25 A (UJ3D1725K2) oraz trzy warianty 1200-woltowe: 10 A, 20 A i 50 A o oznaczeniach odpowiednio UJ3D1210K2, UJ3D1220K2 i UJ3D1250K2. Są to diody z kwalifikacją AEC-Q101, dostarczane w obudowach TO247-2L oraz w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych. Producent zaleca je do zastosowań m.in. w samochodowych systemach szybkiego ładowania, napędach przemysłowych i falownikach systemów fotowoltaicznych.
Ceny diod z nowej oferty wynoszą odpowiednio 6,47 USD, 2,24 USD, 3,39 USD i 9,55 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
