650-woltowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET/IGBT odporny na przepięcia ujemne do -100 V

Oferta układów EiceDRIVER firmy Infineon do sterowania bramkami tranzystorów MOSFET i IGBT powiększyła się o kolejny układ. 2ED2110S06M to sterownik półmostkowy o napięciu znamionowym 650 V, zrealizowany w technologii SOI, zawierający wewnętrzne sterowniki tranzystorów high-side i low-side oraz diodę bootstrap. Zapewnia odporność na powtarzające się przepięcia ujemne do -100 V o szerokości 300 ns.

Stanowi część rodziny sterowników fast level-shift (FLS), przeznaczonych do pracy w zasilaczach impulsowych i UPS o dużej częstotliwości taktowania. Może też znaleźć zastosowanie w przemysłowych falownikach, elektronarzędziach, układach napędowych pomp i wentylatorów oraz w urządzeniach AGD. Może być przełączany w tryb shutdown oraz zawiera niezależne elektrody masy dla obwodów logicznych i wysokoprądowych.

EiceDRIVER 2ED2110S06M pracuje z maksymalnym prądem wyjściowym 2,5 A. Charakteryzuje się czasem propagacji równym 90 ns i różnicą czasów propagacji pomiędzy kanałami poniżej 10 ns, co pozwala na pracę w układach o częstotliwości taktowania do około 500 kHz. Wbudowany układ kontroli czasu martwego wraz z zabezpieczeniem przed równoczesnym włączeniem obu tranzystorów i niezależnym zabezpieczeniem podnapięciowym dla sekcji low-side i high-side zapewnia dużą niezawodność. Wewnętrzna dioda bootstrap charakteryzuje się rezystancją 30 Ω i bardzo krótkim czasem regeneracji.

2ED2110S06M jest zamykany w obudowie DSO-16W. W ofercie firmy Infineon są też dostępne podobne sterowniki EiceDRIVER 2ED2101/03/04 o mniejszym prądzie wyjściowym (0,7 A), zamykane w obudowach DSO-8.

EiceDRIVER 2ED2110S06M oraz 2ED2101/03/04 S06F mogą stanowić zamienniki sterowników wcześniejszej generacji IR(S)2110/2113S i IR(S)2101/03/04S.