Tanie 650-woltowe tranzystory SiC MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ
Richardson RFPD powiększa rodzinę 650-woltowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji o trzy tanie modele o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ. Są one oferowane w cenie hurtowej 3,9 USD przy zamówieniach 100 sztuk, kilkakrotnie niższej od wcześniejszych wersji o bardziej wyśrubowanych parametrach.
C3M0120065D, C3M0120065K i C3M0120065J mogą pracować z maksymalnym prądem drenu 22 A i są produkowane w obudowach odpowiednio TO-247-3, TO-247-4 i TO-247-7. Nadają się do zastosowań m.in. w zasilaczach serwerowych, ładowarkach oraz inwerterach systemów fotowoltaicznych. Do ich zalet należy duża sprawność energetyczna, duża dopuszczalna częstotliwość pracy, wbudowana dioda zabezpieczająca o małym ładunku regeneracyjnym oraz 2-żyłowe połączenie źródła, pozwalające zredukować indukcyjność pasożytniczą i straty przy przełączaniu. Nowe tranzystory są przystosowane do pracy w temperaturze złącza od -40 do +175°C.
