Diody SiC Schottky firmy GeneSiC

Dioda ze złączem wykonanym z warstwy półprzewodnika (najczęściej krzemu) i warstwy metalu. Charakteryzuje się niższym spadkiem napięcia, niż klasyczna, krzemowa dioda złączowa.

Diody o zwiększonej wytrzymałość na prąd udarowy. Charakteryzują się niska rezystancją termiczną dla szybszego odprowadzania ciepła. Maksymalna temperatura pracy diody to  175 °C.

Zastosowania:
  • Dioda Boost w układach korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Przekształtniki AC-DC [&] DC-DC
  • Przeciw-równoległa dioda w falownikach
  • UPS
  • Przekształtniki do paneli solarnych i turbin wiatrowych
  • Pojazdy elektryczne i szybkie ładowarki DC
  • Napędy elektryczne
  • Oświetlenie LED i HID
  • Grzejnictwo indukcyjne i spawarki

Zapytania ofertowe
Diody SiC Schottky firmy GeneSiC
Zapytaj o produkt
Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Diody SiC Schottky firmy GeneSiC
Firma: Dacpol Sp. z o.o.
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).