Tranzystory MOSFET 30V o ekstremalnie małym ładunku bramki
Opracowane przez firmę International Rectifier cztery nowe tranzystory MOSFET linii HEXFET wykazują ekstremalnie mały ładunek bramki (Qg) już od 7,6nC, co pozwala na pracę z większą częstotliwością przełączania i mniejszymi stratami mocy.
Opracowane przez firmę International Rectifier cztery nowe tranzystory MOSFET linii HEXFET wykazują ekstremalnie mały ładunek bramki (Qg) już od 7,6nC, co pozwala na pracę z większą częstotliwością przełączania i mniejszymi stratami mocy. Są to tranzystory wysokoprądowe, przeznaczone do zastosowań w zasilaczach UPS, elektronarzędziach oraz układach zasilania urządzeń sieciowych i serwerów. Dopuszczalny prąd drenu może osiągnąć nawet do 260A w temperaturze +25°C w przypadku modelu IRLB3813PbF. Szczegółowe parametry podano w tabeli. Ceny tranzystorów IRLB8721PbF, IRLB8748PbF, IRLB8743PbF i IRLB3813PbF wynoszą odpowiednio 0,22 USD, 0,25 USD, 0,32 USD i 0,63 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
|
Oznaczenie |
Obudowa |
BVDSS |
RDS(on) |
ID @ TC |
Qg |
Qgd |
||
|
|
|
|
@ 4,5V |
@ 10V |
25°C |
100°C |
|
|
|
IRLB8721PbF |
TO-220AB |
30 |
4,5 |
8,7 |
62 |
44 |
7,6 |
3,4 |
|
IRLB8743PbF |
TO-220AB |
30 |
4,2 |
3,2 |
150 |
110 |
36 |
13 |
|
IRLB8748PbF |
TO-220AB |
30 |
6,8 |
4,8 |
92 |
65 |
15 |
5,9 |
|
IRLB3813PbF |
TO-220AB |
30 |
2,6 |
1,95 |
260 |
190 |
57 |
19 |
| Więcej na www.irf.com |
