Tranzystory MOSFET rodziny OptiMOS 6 w nowych wersjach 100-woltowych

Do rodziny tranzystorów MOSFET OptiMOS 6 firmy Infineon wchodzą nowe wersje 100-woltowe, przeznaczone do zastosowań w układach impulsowych dużej częstotliwości. Zapewniają one małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu, a równocześnie charakteryzują się szerokim obszarem bezpiecznej pracy. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji OptiMOS 6 oferują mniejszą średnio o 18% rezystancję R_DS(on) i mniejszy o 30% współczynnik FOM (R_DS(on) x Q_g).

W przykładowym układzie konwertera DC-DC buck-boost ZVS o napięciu wejściowym -36...-60 V i napięciu wyjściowym 12 V, zastosowanie tranzystora OptiMOS 6 o rezystancji R_DS(on) równej 2,2 mΩ, zamykanego w obudowie SuperSO8, pozwala zwiększyć o 1% sprawność energetyczną w porównaniu z równoważnym układem z tranzystorem OptiMOS 5 BSC027N10NS5 (2,7 mΩ) w całym zakresie obciążeń. Oznacza to straty mocy mniejsze o 7 W i większą o 15% gęstość mocy.

Tranzystory OptiMOS 6 są produkowane w obudowach SuperSO8 (6 x 5 mm) i PQFN (3,3 x 3,3 mm).