Tranzystory MOSFET z technologią Shield Gate do pracy z dużą częstotliwością przełączania

Alpha and Omega Semiconductor wprowadza na rynek 80-woltowe tranzystory MOSFET do wysokoprądowych układów zasilania, wykorzystujące opatentowaną technologię Shield Gate, pozwalającą na pracę z dużą częstotliwością przełączania. Zapewniają one mniejsze straty i mniejsze oscylacje w porównaniu z tranzystorami poprzedniej generacji oraz charakteryzują się większą gęstością mocy. Nadają się idealnie do zastosowań w instalacjach fotowoltaicznych i aplikacjach bateryjnych o dużym prądzie zasilania, np. elektronarzędziach i skuterach o napędzie elektrycznym.

Tranzystory AONR66820 i AONS66811 są zamykane w obudowach DFN o powierzchni odpowiednio 3,3 x 3,3 mm i 6 x 5 mm. AONR66820 jest polecany do zastosowań w izolowanych przetwornicach DC-DC w aplikacjach telekomunikacyjnych. Z kolei AONS66811, polecany do zastosowań w prostownikach synchronicznych, wyróżnia się małym ładunkiem regeneracji i małymi oscylacjami przy pracy impulsowej, co przekłada się na dużą sprawność i niezawodność układu zasilania.

Trzeci z nowych tranzystorów, AOTL66810, jest zamykany w obudowie TOLL o mniejszej o 25% powierzchni montażowej od obudów TO-263 (D2PAK). Wyróżnia się dużą gęstością mocy. Może znaleźć zastosowanie w układach napędowych przemysłowych silników BLDC i układach zarządzania akumulatorem, pozwalając zmniejszyć liczbę tranzystorów MOSFET łączonych równolegle. AOTL66810 charakteryzuje się rezystancją R_DS(on) wynoszącą maksymalnie 1,25 mΩ przy V_GS=10 V i maksymalnym ciągłym prądem drenu równym 420 A @ 25°C. Maksymalny prąd impulsowy, wynoszący 1700 A, jest ograniczony dopuszczalną temperaturą złącza, równą +175°C.

		VDS	VGS	Ciągły prąd drenu	Impulsowy prąd drenu	maks. RDS(on) @ 10 V
AOTL66810	TOLL	80 V	±20 V	420 A	1700 A	1,25 mΩ
AONS66811	DFN 6x5			200 A	410 A	2,1 mΩ
AONR66820	DFN 3.3x3.3			50 A	150 A	7,2 mΩ

Więcej na: www.aosmd.com