Małostratne superłączowe tranzystory STPOWER MDmesh K6 800 V do układów zasilania

W superłączowych 800-woltowych tranzystorach nowej serii STPOWER MDmesh K6 firmy STMicroelectronics poprawiono kilka kluczowych parametrów, pozwalających zminimalizować straty mocy w systemach zasilania. Są one polecane do zastosowań przede wszystkim w instalacjach oświetleniowych opartych na topologii flyback (sterowniki diod LED i lamp HID), a także zasilaczach sieciowych i układach zasilania wyświetlaczy.

Tranzystory te wyróżniają się bardzo małym iloczynem rezystancji R_DS(on) i powierzchni struktury półprzewodnikowej, co zapewnia równocześnie dużą gęstość mocy i dużą sprawność energetyczną. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji MDmesh K5, charakteryzują się mniejszym napięciem progowym, co pozwala na stosowanie mniejszego napięcia sterującego i ogranicza straty mocy, zwłaszcza w aplikacjach pozostających przez długi czas w trybie standby. Mały całkowity ładunek bramki (Qg) zapewnia małe straty przy pracy z dużą częstotliwością przełączania. Z kolei wbudowana dioda zabezpieczająca zapewnia dużą odporność na wyładowania elektrostatyczne (HBM Class 2).

Pierwszym tranzystorem nowej serii STPOWER MDmesh K6 jest STP80N240K6, charakteryzujący się rezystancją R_DS(on) poniżej 0,22 Ω i ładunkiem Qg równym 25,9 nC. Jest on zamykany obecnie w obudowie TO-220, a w najbliższym czasie ma być też dostępny w wersjach DPAK i TO-220FP. Ceny hurtowe STP80N240K6 zaczynają się od 1,013 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.