Wzmacniacze mocy MMIC na bazie azotku galu do pracy na częstotliwości do 20 GHz

Microchip powiększa ofertę podzespołów półprzewodnikowych w.cz. produkowanych na bazie azotku galu o nowe wzmacniacze mocy i tranzystory mogące pracować w zakresie częstotliwości nawet do 20 GHz. Mogą one znaleźć zastosowanie w sieciach telekomunikacyjnych 5G, systemach wojny elektronicznej, komunikacji satelitarnej, radarach i aparaturze pomiarowej. Są produkowane w technologii GaN-on-SiC, zapewniającej jednocześnie dużą gęstość mocy, możliwość pracy z dużym napięciem zasilania oraz żywotność przekraczającą 1 milion godzin przy temperaturze złącza +25°C.

Obecnie w ofercie Microchip dostępne są:

• układy GaN MMIC pokrywające zakresy częstotliwości 2...18 GHz, 12...20 GHz i 12...20 GHz, charakteryzujące się punktem 3-decybelowej kompresji wzmocnienia do 20 W i sprawnością do 25%,
• wzmacniacze Gan MMIC na pasma S i X o sprawności dodanej do 60%, dostarczane w obudowach i w postaci struktur półprzewodnikowych,
• tranzystory HEMT na pasmo DC...14 GHz o sprawności do 70% i punkcie 3-decybelowej kompresji wzmocnienia sięgającym 100 W.

Dwa najnowsze układy GaN-on-SiC, wchodzące do oferty Microchip to wzmacniacze mocy ICP0349PP7-1-300I i ICP1543-1-110I na pasma odpowiednio 2,7...3,5 GHz i 12...18 GHz. Oba mogą pracować przy maksymalnej temperaturze kanału równej +275°C. Charakteryzują się sprawnością dodaną (PAE @ Psat) odpowiednio 60/30%, maksymalną mocą wyjściową 48 /43 dBm, maksymalną mocą sygnału wejściowego 27/29 dBm i wzmocnieniem małosygnałowym 26,5/22 dB. Są dostarczane w wersji obudowanej oraz w postaci struktury półprzewodnikowej.

	ICP0349P	ICP1543
Pasmo	2,7...3,5 GHz	12...18 GHz
Moc wyjściowa @ Psat	48 dBm	43 dBm
PAE @ Psat	60%	30%
Wzmocnienie małosygnałowe	26,5 dB	22 dB
Straty powrotne (wejście)	12 dB	10 dB
Straty powrotne (wyjście)	5 dB	7 dB
Maks. moc wejściowa	+27 dBm	+29 dBm
Napięcie drenu	40 V	32 V
Format	obudowa 7,0 x 7,0 x 0,85 mm	chip 3,75 x 3,45 mm
Maks. temperatura kanału	275°C	275°C

 

Więcej na: www.microchip.com