200-woltowe, jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów GaN SG HEMT
Małe koszty prac badawczo-rozwojowych oraz niezawodna i energooszczędna praca elementów przełączających średniego napięcia z azotku galu (GaN) są kluczowymi wymogami w nowoczesnych systemach energoelektronicznych. Właśnie pod tym kątem firma Infineon zaprojektowała nowe, jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów GaN SG HEMT serii EiceDRIVER 1EDN71x6G. Mogą one pracować w systemach zasilanych napięciem do 200 V.
Zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w układach sterowania tranzystorów CoolGaN HEMT z diodą Schottky'ego, ale mogą też współpracować z innymi tranzystorami GaN HEMT oraz z krzemowymi tranzystorami MOSFET w układach napędowych, zasilaczach telekomunikacyjnych i serwerowych, robotach, dronach, elektronarzędziach oraz wzmacniaczach mocy klasy D. Dzięki regulowanym obwodom pull-up i pull-down, umożliwiają optymalizację kształtu przebiegu i szybkości przełączania bez potrzeby stosowania zewnętrznych rezystorów bramek.
Najmocniejszy i najszybszy wariant 1EDN7116G nadaje się do pracy w konfiguracjach półmostkowych, gdzie występuje potrzeba równoległego łączenia wyjść. Najsłabszy, najwolniejszy wariant 1EDN7146G może znaleźć zastosowanie w aplikacjach z ograniczeniem dv/dt, np. w niektórych układach napędowych oraz do współpracy z tranzystorami GaN HEMT o bardzo małej powierzchni struktury (o małej pojemności Qg i dużej rezystancji RDS(on)).
Poszczególne warianty charakteryzują się różnymi czasami opóźnienia (blanking time), proporcjonalnymi do minimalnego rekomendowanego czasu martwego, minimalnej szerokości impulsu i czasu propagacji. Różnicowe wejście logiczne TDI (truly differential logic input) eliminuje ryzyko fałszywego wyzwalania wskutek tętnienia na linii masy w aplikacjach low-side. Wszystkie warianty zawierają aktywny układ Millera, zwiększający odporność na przepięcia w pętli sterowania bramką. Dodatkowo, sterowniki 1EDN71x6G zawierają aktywny układ blokowania, zapobiegający przeładowaniu kondensatora bootstrap w czasie martwym. Zabezpiecza to bramkę tranzystora high-side, bez konieczności stosowania dodatkowego układu regulacyjnego. Opcjonalny, programowalny układ pompy ładunkowej z regulowanym ujemnym napięciem wyłączania zapewnia dodatkową ochronę przed przepięciami przy braku możliwości pełnej optymalizacji topologii płytki drukowanej.
Sterowniki EiceDRIVER 1EDN7116G, 1EDN7126G, 1EDN7136G i 1EDN7146G do tranzystorów CoolGaN SG HEMT są produkowane w obudowach PG-VSON-10.
