Szerokopasmowe tranzystory LDMOS do zastosowań przemysłowych, naukowych i medycznych
Ampleon powiększa szerokopasmowych tranzystorów LDMOS do zastosowań przemysłowych, naukowych i medycznych o dwie nowe serie tranzystorów o napięciach przebicia 32 V (BLP15M9Sxxx) i 50 V (BLP15H9Sxxx). Obejmują one tranzystory mogące pracować na częstotliwości do 2 GHz. Zapewniają dużą stabilność zarówno w trybie pracy z falą ciągłą, jak i impulsowym.
Tranzystory BLP15MSxxx występują w wersjach o mocy znamionowej 30, 70 i 100 W, a tranzystory BLP15H9Sxxx w wersjach o mocy 10, 30 i 100 W. Szeroki zakres częstotliwości pozwala na ich zastosowania m.in. w akceleratorach cząstek, generatorach plazmy, skanerach MRI, przemysłowych systemach grzewczych i radarach.
Tranzystory BLP15M9Sxxx i BLP15H9Sxxx są produkowane w dwóch wariantach obudów: SOT1482-1 z wyprowadzeniami prostymi i SOT1483-1 z wyprowadzeniami gull wing. Są to tanie obudowy z tworzywa sztucznego, zapewniające bardzo dobre parametry termiczne oraz dwustronną ochronę przed wyładowaniami ESD.
|
Obudowa |
Fmin (MHz) |
Fmaks. (MHz) |
PL(1 dB) (W) |
PL(1 dB) (dBm) |
VDS (V) |
ηD (%) |
GP (dB) |
BLP15M9S100 |
SOT1482-1 |
1 |
1500 |
100 |
50 |
32 |
68 |
15,7 |
BLP15M9S100G |
SOT1483-1 |
10 |
1500 |
100 |
50 |
32 |
66 |
16 |
BLP15M9S30 |
SOT1482-1 |
10 |
2000 |
30 |
44,8 |
32 |
71 |
19,3 |
BLP15M9S30G |
SOT1483-1 |
10 |
2000 |
30 |
44,8 |
32 |
71 |
19,3 |
BLP15M9S70 |
SOT1482-1 |
1 |
2000 |
70 |
48,5 |
32 |
65,5 |
17,8 |
BLP15M9S70G |
SOT1483-1 |
1 |
2000 |
70 |
48,5 |
32 |
70 |
17,6 |
BLP15H9S10 |
SOT1482-1 |
1 |
2000 |
10 |
40 |
50 |
65 |
21 |
BLP15H9S100 |
SOT1482-1 |
1 |
2000 |
100 |
50 |
50 |
63 |
19 |
BLP15H9S100G |
SOT1483-1 |
1 |
2000 |
100 |
50 |
50 |
56 |
19 |
BLP15H9S10G |
SOT1483-1 |
1 |
2000 |
10 |
40 |
50 |
65 |
21 |
BLP15H9S30 |
SOT1482-1 |
1 |
2000 |
30 |
44,8 |
50 |
65 |
22 |
BLP15H9S30G |
SOT1483-1 |
1 |
2000 |
30 |
44,8 |
50 |
65 |
21 |