Podwójny sterownik bramek tranzystorów MOSFET high-side z interfejsem SPI

Pakiety akumulatorowe 48 V są coraz szerzej stosowane w różnych segmentach rynkowych, w tym w pojazdach o zasilaniu elektrycznym i hybrydowym oraz w instalacjach fotowoltaicznych. Muszą być one chronione przed zarówno dodatnimi, jak i ujemnymi napięciami przekraczającymi dozwoloną wartość. Ponadto, akumulatory muszą być w stanie w ciągu kilku mikrosekund odłączyć się od obciążenia w razie wystąpienia przetężenia. Ponieważ pakiety akumulatorowe mogą nie być dostosowane do pracy z jednym konkretnym typem pojazdu lub instalacji, kluczowa jest również możliwość badania statusu i konfigurowania poziomów progowych układu zabezpieczającego.

Aby sprostać tym wymogom, firma Infineon opracowała podwójny, inteligentny sterownik bramek tranzystorów MOSFET EiceDRIVER 2ED4820-EM z interfejsem SPI. Nadaje się on idealnie do współpracy z tranzystorami MOSFET 80/100 V OptiMOS produkcji Infineon. Może być również stosowany do przełączania obciążeń wysokoprądowych w systemach 48-woltowych. Toleruje napięcia ujemne od -90 V na linii zasilania oraz przepięcia do +105 V. Mogą one wystąpić podczas zwarcia lub przy uszkodzonym połączeniu.

EiceDRIVER 2ED4820-EM zawiera wzmacniacz pomiarowy (current sense) do pracy w układzie high-side lub low-side. Pomiar w układzie low-side pozwala ograniczyć koszty, przestrzeń zajmowaną na płytce drukowanej i pobór mocy ze względu na możliwość wykorzystania istniejącego rezystora bocznikowego z układu zarządzania akumulatorem (BMS). Dzięki dwóm kanałom wyjściowym możliwe jest sterowanie ścieżką wstępnego ładowania lub oddzielenie ścieżki prądu ładowania i rozładowania akumulatora, co dodatkowo zmniejsza wymaganą przestrzeń na płytce drukowanej i całkowity koszt.