Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ

Microchip wprowadza do sprzedaży nowy, wysokonapięciowy tranzystor MOSFET produkowany na podłożu z węglika krzemu, oznaczony symbolem MSC025SMA330. Jest to tranzystor o napięciu przebicia 3,3 V i rekordowo małej rezystancji R_DS(on), równej 25 mΩ.

Został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach przede wszystkim w sektorze energetycznym, lotnictwie i transporcie szynowym, uzupełniając wcześniejszą ofertę tranzystorów SiC o napięciach znamionowych 700, 1200 i 1700 V. Jest dostarczany w dwóch wariantach: w postaci nieobudowanej struktury półprzewodnikowej oraz w obudowie TO-247. Nadaje się do pracy w temperaturze otoczenia od -55 do 175°C. Producent dostarcza do niego model do symulacji w programie SPICE.