60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ

SiJH600E to 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET linii TrenchFET zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w przemyśle i telekomunikacji, gdzie krytycznym parametrem jest niezawodność. Jest zamykany w obudowie PowerPAK 8 x 8L o wymiarach 8,0 x 7,9 x 1,8 mm, zawierającej wyprowadzenia typu gullwing o dużej odporności na naprężenia mechaniczne. Charakteryzuje się bardzo małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą zaledwie 0,65 Ω przy napięciu V_GS równym 10 V. Jest to wartość o połowę mniejsza w stosunku do tranzystorów tej samej generacji, zamykanych w obudowach PowerPAK SO-8.

SiJH600E może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C. Charakteryzuje się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 373 A @ 25°C oraz zoptymalizowanymi wartościami ładunku Qg/Qgd i współczynnika Qgd/Qgs, zapewniającymi małe straty przy pracy impulsowej.

W ofercie Vishay dostępny jest też dostępny 80-woltowy odpowiednik o symbolu SiJH800E, charakteryzujący się prądem znamionowym 288 A i rezystancją R_DS(on) równą 1,22 mΩ @ 10 V. Również on jest zamykany w obudowie PowerPAK 8 x 8L.