150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V

Rohm rozpoczyna produkcję nowej serii tranzystorów GaN HEMT, charakteryzujących się dużą dopuszczalną częstotliwością przełączania, napięciem znamionowym 150 V i dopuszczalnym napięciem bramki zwiększonym z 6 do 8 V w stosunku do wcześniejszych odpowiedników. Tranzystory GNE10xxTB są polecane do zastosowań w układach zasilania centrów danych i stacji bazowych, układach sterowania LiDARów i wzmacniaczach audio klasy D, pozwalając zmniejszyć ich pobór mocy i gabaryty. Ponadto, zwiększone napięcie bramki zapewnia większą odporność na przepięcia i zmniejsza ryzyko uszkodzenia tranzystora.

Obecnie w ramach serii EcoGaN GNE10xxTB dostępny jest pierwszy model o oznaczeniu GNE1040TB, charakteryzujący się rezystancją R_DS(on) równą 40 mΩ, ładunkiem bramki 2 nC i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 30 A (60 A w impulsie). Jest on zamykany w obudowie DFN5060 o wymiarach 6 x 5 x 1 mm. W najbliższym czasie w ofercie Rohm mają też pojawić się dwa kolejne modele: GNE1015TB i GNE1007TB o dopuszczalnym prądzie drenu odpowiednio 55 A i 80 A oraz o rezystancji R_DS(on) odpowiednio 15 mΩ i 7 mΩ.