350-woltowy tranzystor GaN FET o 20-krotnie mniejszej powierzchni od tranzystorów krzemowych
Firma EPC wprowadziła do oferty miniaturowy tranzystor GaN FET o napięciu znamionowym 350 V (do 420 V w impulsie), charakteryzujący się 20-krotnie mniejszą powierzchnią od krzemowych odpowiedników o zbliżonych parametrach elektrycznych. EPC2050 jest dostarczany w obudowie o powierzchni 1,95 x 1,95 mm i grubości 0,52 mm. Charakteryzuje się rezystancją RDS(on) wynoszącą maksymalnie 80 mΩ oraz dopuszczalnym prądem ciągłym i impulsowym odpowiednio 6,3 A i 26 A. Nadaje się idealnie do zastosowań m.in. w układach napędowych, falownikach instalacji fotowoltaicznych, układach korekcji PFC, przetwornicach DC-DC, ładowarkach akumulatorów, wzmacniaczach klasy D oraz w instalacjach oświetleniowych LED.
EPC2050 może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C. Jego ceny hurtowe zaczynają się od 3,05 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
W ofercie EPC jest też dostępna płytka deweloperska EPC90121 w cenie 156,25 USD, zawierająca dwa tranzystory EPC2050 połączone w układzie półmostkowym, sterownik bramek i układ sterowania z wejściami logicznymi PWM, umieszczone na powierzchni 50,8 x 50,8 mm.
