Najmniejsze na rynku tranzystory MOSFET w obudowach DFN0603 o wymiarach 0,63 x 0,33 x 0,25 mm
Do oferty firmy Nexperia wchodzi seria najmniejszych na rynku tranzystorów MOSFET, zamykanych w obudowach DFN0603 o wymiarach 0,63 x 0,33 x 0,25 mm. Oferta obejmuje obecnie dwa tranzystory n-kanałowe o napięciu znamionowym 20 V (PMX100UN, PMX100UNE) oraz dwa o napięciu znamionowym 30 V: n-kanałowy PMX300UNE i p-kanałowy PMX400UP. PMX100UNE wyróżnia się odpornością na wyładowania ESD do 2 kV.
Pomimo mniejszej o 13% powierzchni obudowy od tranzystorów zamykanych w obudowach DFN0604, tranzystory z nowej oferty nie tylko nie ustępują im pod względem parametrów, ale nawet wykazują mniejszą średnio o 74% rezystancję RDS(on), pozwalającą zwiększyć sprawność energetyczną i gęstość mocy w urządzeniach przenośnych. W najbliższym czasie do oferty firmy Nexperia mają wejść dwie kolejne wersje n-kanałowe: PMX700EN i PMX800ENE, charakteryzujące się napięciem znamionowym 60 V.
|
PMX100UNE |
PMX300UNE |
PMX100UN |
PMX400UP |
Kanał |
N |
N |
N |
P |
VDS (maks.) |
20 V |
30 V |
20 V |
-20 V |
RDS(on) maks. @ VGS=4,5 V |
160 mΩ |
250 mΩ |
210 mΩ |
500 mΩ |
RDS(on) maks. @ VGS=2,5 V |
190 mΩ |
330 mΩ |
230 mΩ |
600 mΩ |
ID (maks.) |
1,4 A |
0,82 A |
1,3 A |
-0,9 A |
QGD (typ.) |
0,3 nC |
0,3 nC |
0,4 nC |
0,4 nC |
QG (typ.) @ VGS=4,5 V |
1,4 nC |
1,4 nC |
1,5 nC |
1,6 nC |
Ptot (maks.) |
0,3 W |
0,3 W |
0,3 W |
0,3 W |
VGSth (typ.) |
0,7 V |
0,7 V |
0,7 V |
-0,7 V |
CISS (typ.) |
123 pF |
120 pF |
144 pF |
146 pF |
COSS (typ.) |
14 pF |
9 pF |
14 pF |
16 pF |