100-woltowy tranzystor GaN FET o małej rezystancji drenu i dużej odporności na promieniowanie

EPC7018 to 100-woltowy tranzystor GaN FET o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące, wyróżniający się najmniejszą wśród tej klasy tranzystorów rezystancją R_DS(on). Został on zaprojektowany do zastosowań w układach konwersji mocy, przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Zapewnia odporność na całkowitą dawkę napromieniowania powyżej 1 Mrad i cząstki jonizujące (SEE LET) o energii 85 MeV/(mg/cm²). Jest zamykany w chipowej obudowie o powierzchni 6,05 x 2,3 mm. Charakteryzuje się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 90 A (345 A w impulsie) i rezystancją R_DS(on) równą 3,9 mΩ.

Tranzystory GaN znacznie przewyższają odpowiedniki krzemowe pod względem napięcia przebicia, ładunku bramki, strat przełączania, przewodności cieplnej i rezystancji drenu, umożliwiając pracę z większą częstotliwością. Oznacza to większą gęstość mocy, większą sprawność energetyczną oraz mniejsze wymiary i masę urządzeń docelowych. Zakres zastosowań EPC7018 obejmuje przetwornice DC-DC, układy napędowe, lidary oraz inne moduły przeznaczone do zastosowań w przestrzeni kosmicznej i awionice.