Moduły wysokoprądowe z tranzystorami SiC MOSFET do ładowarek pokładowych o mocy do 22 kW
Do oferty firmy onsemi wchodzą trzy moduły wysokoprądowe, zaprojektowane do zastosowań w ładowarkach pokładowych pojazdów EV oraz w wysokonapięciowych konwerterach DC-DC. Spełniają one wymogi norm branżowych AEC-Q101 i AQG 324. Dwa z nich: NVXK2TR40WXT i NVXK2TR80WDT, zawierają 4 tranzystory SiC MOSFET o małych stratach na przewodzenie i przełączanie, połączone w układzie H-bridge oraz termistor NTC. Różnią się dopuszczalnym prądem drenu tranzystorów, wynoszącym odpowiednio 27 A i 20 A oraz rezystancją RDS(on) (odpowiednio 59 mΩ i 116 mΩ). Trzeci moduł, NVXK2KR80WDT, skonfigurowany w układzie mostka Wiena, jest przeznaczony do zastosowań w układach korekcji PFC.
Nowe moduły charakteryzują się napięciem przebicia 1200 V, wystarczającym do współpracy z szyną zasilającą 800 V. Dzięki małym stratom wewnętrznych tranzystorów, zapewniają małą emisję ciepła. Mogą pracować w zakresie temperatury złącza do +175°C. Są zamykane w obudowach DIP z górną powierzchnią przeznaczoną do montażu radiatora. Pod względem drogi upływu i odstępu izolacyjnego spełniają wymogi norm IEC 60664-1 i IEC 60950-1.
