Seria specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy
Nexperia wprowadza na rynek serię specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy, przeznaczonych do zastosowań w układach miękkiego startu i 12-woltowych aplikacjach hot-swap m.in. w serwerach centrów danych i systemów telekomunikacyjnych. Oprócz dwukrotnie szerszego obszaru SOA, nowe tranzystory ASFET (Application Specific MOSFET) serii PSMNxxxx wykazują bardzo małą rezystancję RDS(ON), wynoszącą w zależności od modelu od 0,7 do 2,0 mΩ.
Nowa oferta obejmuje 8 tranzystorów o napięciach przebicia 25 i 30 V, zamykanych w obudowach LFPAK56 i LFPAK56E. Mogą one pracować w temperaturze otoczenia do +125°C. Ich dopuszczalny prąd drenu wynosi w zależności od wersji od 100 do 365 A. Przykładowy model PSMNR67-30YLE zapewnia ponad dwukrotnie szerszy obszar SOA (12 A @100 ms) od tranzystorów produkowanych we wcześniejszej technologii, przy rezystancji RDS(on) wynoszącej maksymalnie 0,7 mΩ.
|
|
VDS (maks.) |
RDSon [maks.] @ VGS=10 V |
ID (maks.) |
QGD (typ.) |
Ptot (maks.) |
ISOA [maks.] @ tp=1 ms |
ISOA [maks.] @ tp=10 ms |
ISOA [maks.] @ tp=100 ms |
|
PSMN1R0-30YLE |
30 V |
1,11 mΩ |
275 A |
10 nC |
224 W |
39,88 A |
15,12 A |
11,29 A |
|
PSMN1R1-30YLE |
30 V |
1,26 mΩ |
265 A |
9 nC |
192 W |
36,74 A |
13,1 A |
9,68 A |
|
PSMN1R6-25YLE |
25 V |
1,88 mΩ |
185 A |
5 nC |
124 W |
17,1 A |
8,62 A |
6,17 A |
|
PSMNR89-25YLE |
25 V |
0,98 mΩ |
270 A |
10 nC |
224 W |
42,61 A |
15,12 A |
9,74 A |
|
PSMNR98-25YLE |
25 V |
1,11 mΩ |
255 A |
8 nC |
192 W |
32,89 A |
13,1 A |
9,68 A |
|
PSMNR67-30YLE |
30 V |
0,7 mΩ |
365 A |
13 nC |
333 W |
47,64 A |
22,46 A |
11,97 A |
|
PSMNR82-30YLE |
30 V |
0,87 mΩ |
220 A |
10 nC |
268 W |
45,61 A |
17,28 A |
11,93 A |
|
PSMN2R0-30YLE |
30 V |
2,0 mΩ |
100 A |
13,5 nC |
238v |
45 A |
15 A |
5,19 A |
