Seria specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy

Nexperia wprowadza na rynek serię specjalizowanych tranzystorów MOSFET o szerokim obszarze bezpiecznej pracy, przeznaczonych do zastosowań w układach miękkiego startu i 12-woltowych aplikacjach hot-swap m.in. w serwerach centrów danych i systemów telekomunikacyjnych. Oprócz dwukrotnie szerszego obszaru SOA, nowe tranzystory ASFET (Application Specific MOSFET) serii PSMNxxxx wykazują bardzo małą rezystancję R_DS(ON), wynoszącą w zależności od modelu od 0,7 do 2,0 mΩ.

Nowa oferta obejmuje 8 tranzystorów o napięciach przebicia 25 i 30 V, zamykanych w obudowach LFPAK56 i LFPAK56E. Mogą one pracować w temperaturze otoczenia do +125°C. Ich dopuszczalny prąd drenu wynosi w zależności od wersji od 100 do 365 A. Przykładowy model PSMNR67-30YLE zapewnia ponad dwukrotnie szerszy obszar SOA (12 A @100 ms) od tranzystorów produkowanych we wcześniejszej technologii, przy rezystancji R_DS(on) wynoszącej maksymalnie 0,7 mΩ.

	VDS (maks.)	RDSon [maks.] @ VGS=10 V	ID (maks.)	QGD (typ.)	Ptot (maks.)	ISOA [maks.] @ tp=1 ms	ISOA [maks.] @ tp=10 ms	ISOA [maks.] @ tp=100 ms
PSMN1R0-30YLE	30 V	1,11 mΩ	275 A	10 nC	224 W	39,88 A	15,12 A	11,29 A
PSMN1R1-30YLE	30 V	1,26 mΩ	265 A	9 nC	192 W	36,74 A	13,1 A	9,68 A
PSMN1R6-25YLE	25 V	1,88 mΩ	185 A	5 nC	124 W	17,1 A	8,62 A	6,17 A
PSMNR89-25YLE	25 V	0,98 mΩ	270 A	10 nC	224 W	42,61 A	15,12 A	9,74 A
PSMNR98-25YLE	25 V	1,11 mΩ	255 A	8 nC	192 W	32,89 A	13,1 A	9,68 A
PSMNR67-30YLE	30 V	0,7 mΩ	365 A	13 nC	333 W	47,64 A	22,46 A	11,97 A
PSMNR82-30YLE	30 V	0,87 mΩ	220 A	10 nC	268 W	45,61 A	17,28 A	11,93 A
PSMN2R0-30YLE	30 V	2,0 mΩ	100 A	13,5 nC	238v	45 A	15 A	5,19 A

 

Więcej na: www.nexperia.com