Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS o w obudowach 3,3 x 3,3 mm o konfiguracji Source-Down

Infineon Technologies wprowadza do sprzedaży serię miniaturowych tranzystorów mocy MOSFET, zamykanych w obudowach PQFN 3,3 x 3,3 mm z dwoma wariantami chłodzenia: Bottom-Side Cooling (BSC) i Dual-Side Cooling. Są to tranzystory przeznaczone do zastosowań w układach zasilania serwerów i systemów telekomunikacyjnych, układach zabezpieczania akumulatorów, ładowarkach i elektronarzędziach, produkowane na zakres napięcia znamionowego od 25 do 150 V. Umożliwiają pracę z ciągłym prądem drenu nawet do 298 A przy idealnym chłodzeniu, a ich rezystancja R_DS(on) wynosi już od 0,5 mΩ.

W tranzystorach o konfiguracji Source-Down, krzemowa struktura wewnątrz obudowy jest odwrócona o 180°. Zamiast elektrody drenu, podłączonej do wyprowadzenia termicznego, teraz podłączona jest do niego elektroda źródła. W połączeniu z dwustronnym układem chłodzenia (Dual-Side Cooling) umożliwia to rozproszenie trzykrotnie większej mocy w porównaniu z dotychczasowymi wariantami obudów. Konfiguracja Source-Down umożliwia też umieszczenie większej struktury krzemowej w obudowie o tej samej powierzchni oraz zmniejsza straty wprowadzane przez obudowę, pozwalając na zredukowanie rezystancji R_DS(on) nawet o 30%. Korzyścią na poziomie systemu jest zmniejszenie wymaganej powierzchni płytki drukowanej, dzięki możliwości zastąpienia tranzystorów w obudowach SuperSO8 6x5 mm odpowiednikami o tej samej rezystancji R_DS(on), zamykanymi w obudowach PQFN 3,3 x 3,3 mm. Pozwala to na bardziej efektywne wykorzystanie dostępnej przestrzeni i zwiększenie gęstości mocy.

Nowe obudowy są dostępne z dwoma wariantami wyprowadzeń na dolnej powierzchni, ułatwiającymi projektowanie płytek drukowanych. Tradycyjny wariant Standard-Gate zapewnia szybką i łatwą modyfikację istniejących projektów z tranzystorami Drain-Down. Z kolei nowy wariant Center-Gate ułatwia prowadzenie ścieżek przy równoległym łączeniu tranzystorów, tak aby ścieżki łączące bramki tranzystorów były jak najkrótsze.