Podwójne n-kanałowe tranzystory MOSFET 30 V o powierzchni montażowej 3,3 x 3,3 mm
SiZF5300DT i SiZF5302DT to podwójne n-kanałowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 30 V, zamykane w obudowach PowerPAIR 3x3FS o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania i napędowych. Zajmują mniejszą o 63% powierzchnię montażową od powierzchni wymaganej w przypadku odpowiedników produkowanych w obudowach PowerPAIR 6x5F oraz dwukrotnie mniejszą niż w przypadku równoważnego obwodu z dwoma tranzystorami dyskretnymi, zamykanymi w obudowach PowerPAK 1212.
SiZF5300DT i SiZF5302DT zostały zrealizowane na bazie tranzystorów TrenchFET 5. generacji. Różnią się optymalnym zakresem prądu roboczego, wynoszącym odpowiednio 12...15 A i 1...4 A oraz rezystancją RDS(on) i ładunkiem bramki. Dla SiZF5300DT rezystancja RDS(on) wynosi typowo 2,02 mΩ @ 10 V i 2,93 mΩ @ 4,5 V, a ładunek bramki 9,5 nC. Dla SiZF5302DT wartości te wynoszą odpowiednio 2,7 mΩ @ 10 V i 4,4 mΩ @ 4,5 V oraz 6,7 nC. Iloczyn FOM (RDS(on)*QG), decydujący o stratach przy pracy impulsowej, jest mniejszy o 35% od odpowiedników wcześniejszej generacji, co w przypadku konwerterów DC-DC o mocy 100 W pozwala uzyskać sprawność sięgającą nawet 98%.
