1200-woltowe tranzystory IGBT o bardzo małych stratach przy przewodzeniu i przełączaniu

Do oferty firmy onsemi wchodzi nowa rodzina 1200-woltowych tranzystorów IGBT, wyróżniających się bardzo małymi stratami przy przewodzeniu i przełączaniu. Tranzystory rodziny FS7 (Trench Field Stop VII) są polecane do zastosowań w falownikach fotowoltaicznych, zasilaczach UPS, systemach przechowywania energii i ładowarkach samochodowych. Dzięki dużej częstotliwości taktowania pozwalają zmniejszyć wymiary współpracujących elementów magnetycznych, zwiększyć gęstość mocy i zmniejszyć koszty. Dodatni współczynnik temperaturowy ułatwia łączenie ich równoległe w układach dużej mocy.

W ramach rodziny FS7 dostępne są tranzystory w wersji high-speed (seria S) i medium-speed (seria R). Wszystkie charakteryzują się małym napięciem przewodzenia, łagodną charakterystyką przełączania i dużą dopuszczalną temperaturą pracy złącza, wynoszącą +175°C. Tranzystory serii R są polecane do zastosowań m.in. w układach napędowych, gdzie dominujące są straty przy przewodzeniu. Przykładowy model FGY100T120RWD charakteryzuje się napięciem nasycenia już od 1,45 V przy natężeniu prądu 100 A, co stanowi poprawę o 0,4 V w stosunku do odpowiedników wcześniejszej generacji.

Tranzystory rodziny FS7 są produkowane w obudowach TO247-3L, TO247-4L i Power TO247-3L oraz mogą być dostarczane w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych.