150-woltowy tranzystor n-MOSFET o prądzie drenu do 64 A i maksymalnej rezystancji RDS(on) równej 9 mΩ
TPH9R00CQ5 to najnowszy n-kanałowy tranzystor n-MOSFET z oferty firmy Toshiba, zrealizowany w procesie U-MOS X-H. Został zaprojektowany do zastosowań w zasilaczach impulsowych wysokiej klasy, stosowanych m.in w telekomunikacyjnych stacjach bazowych i aplikacjach przemysłowych. Charakteryzuje się napięciem przebicia 150 V, maksymalnym prądem drenu równym 64 A i rezystancją RDS(ON) nieprzekraczającą 9 mΩ - mniejszą o ponad 40% w porównaniu z odpowiednikiem wcześniejszej generacji TPH1500CNH1.
W układach zasilania, korzystających z prostowników synchronicznych, ważne są parametry regeneracji tranzystora. Dzięki szybkiej diodzie wewnętrznej, TPH9R00CQ5 wykazuje mniejszy o około 74% ładunek Qrr (typ. 34 nC) w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, jak np. TPH9R00CQH oraz krótszy o około 40% czas regeneracji. Wraz z małym ładunkiem bramki (Qg), wynoszącym zaledwie 44 nC, parametry te pozwalają na znaczące zmniejszenie strat i zwiększenie gęstości mocy w systemach zasilania. Dopuszczalna temperatura pracy kanału, wynosząca 175°C, jest większa niż w przypadku większości odpowiedników.
TPH9R00CQ5 jest zamykany w obudowie SOP Advance(N) o wymiarach 6,1 x 4,9 x 1,0 mm. Firma Toshiba opracowała do niego model G0 SPICE do szybkiej weryfikacji funkcjonalnej oraz G2 SPICE do precyzyjnej symulacji charakterystyk czasowych.
