650-woltowa dioda Schottky'ego PiN SiC do wymagających aplikacji konwersji mocy

Nexperia wprowadza na rynek nową diodę Schottky'ego klasy przemysłowej do wymagających aplikacji konwersji mocy. PSC1065K to małostratna dioda PiN, produkowana na podłożu z węglika krzemu, charakteryzująca się napięciem przebicia 650 V i dopuszczalnym prądem przewodzenia 10 A. Może być stosowana w konwerterach AC-DC i DC-DC, ładowarkach akumulatorów, zasilaczach UPS i falownikach fotowoltaicznych. Charakteryzuje się małym współczynnikiem figure-of-merit (Q_C x V_F) i wyjątkową odpornością na prądy udarowe, eliminującą konieczność stosowania zewnętrznych elementów zabezpieczających.

Dioda jest zamykana w plastikowej obudowie Real-2-Pin TO-220-2 o wymiarach 15,3 x 10 x 4,4 mm oraz w dwóch wariantach SMD: DPAK R2P i D2PAK R2P. Może pracować w zakresie temperatury złącza do +175°C. W najbliższym czasie firma Nexperia planuje powiększyć ofertę diod SiC o nowe warianty 650- i 1200-woltowe na zakres prądów znamionowych od 6 do 20 A.

Pozostałe parametry:

• V_F (maks.): 1,8 V @ 25°C,
• I_FS (maks.): 440 A,
• I_R (maks.): 60 µA @ 25°C,
• P_tot (maks.): 65 W,
• Q_C (typ.): 22 nC (V_R=400 V, dI_F/dt=200 A/μs, I_F=10 A, T_j=25°C).