Tranzystory GaN FET e-mode w obudowach DFN do aplikacji o napięciu roboczym do 650 V

Firma Nexperia wprowadza na rynek swoje pierwsze tranzystory FET Power GaN w konfiguracji e-mode (enhancement mode), przeznaczone do zastosowań w aplikacjach niskonapięciowych o napięciu roboczym 100/150 V oraz wysokonapięciowych o napięciu 650 V. Dodatkowo, na rynek ma trafić docelowo 5 nowych tranzystorów e-mode w układzie kaskody.

Obecnie do oferty firmy wchodzi 7 pierwszych 650-woltowych tranzystorów e-mode o rezystancji R_DS(ON) z zakresu od 80 do 190 mΩ, zamykanych w obudowach DFN o powierzchni 6 x 5 mm i 8 x 8 mm. Mogą one znaleźć szeroki zakres zastosowań w ładowarkach, fotowoltaice i układach napędowych, również z sektora przemysłowego. Dostępne są też dwa tranzystory niskonapięciowe: 100-woltowy GAN3R2-100CBE o rezystancji R_DS(ON) równej 3,2 mΩ, zamykany w obudowie WLCSP8 i 150-woltowy GAN7R0-150LBE (7 mΩ) w obudowie FCLGA3. Mogą one być stosowane również we wzmacniaczach audio klasy D, laptopach i konsolach do gier.

Tranzystory GaN FET charakteryzują się małymi stratami przy małych gabarytach, co pozwala skrócić listę podzespołów w układach zasilania i konwersji mocy. Ponadto, oferują krótkie czasy przełączania (duże współczynniki dv/dt i di/dt), wynikające z małych ładunków Q_G i Q_OSS.